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西谷 健夫
Isotope News, (569), p.2 - 4, 2001/10
ダイヤモンドは、高温や高い放射線環境下でも作動し得ることから、ITER等の厳しい環境下で動作する放射線検出器としての応用が期待されている。しかし市場に流通している人工ダイヤモンドでは不純物が多くて問題がある。そこで、不純物の低減化が容易とされる化学気相合成(CVD: Chemical Vapor Deposition)法を用いた人工ダイヤモンドの使用を試みてきた。最初のCVDダイヤモンドは多結晶体であったため荷電粒子の捕獲・損失が無視し得なかった。今回、単結晶のCVDダイヤモンドの合成を実現し、世界で初めて放射線検出器としての動作に成功した。
児島 一聡; 吉川 正人; 大島 武; 伊藤 久義; 岡田 漱平
Materials Science Forum, 338-342, p.1239 - 1242, 2000/00
今回、p型3C-SiCについてAu/p-型3C-SiCショットキー接合を作製し、その特性について調べた。3C-SiCのショットキー接合に関して、n型については良好なショットキー特性が得られている。一方、p型については結晶性の劣化により良好なショットキー特性が得られていなかった。p型3C-SiCは縦型減圧CVD装置を用いて作製した。成長条件は、水素、シラン、プロパン流量がそれぞれ2.0slm,0.5sccm,0.52sccm,反応管内圧力100Torr、基板温度1300で行った。また、p型のドーパントとしてAlを成長中にドープした。この結晶を用いて、Auをショットキー電極としてAu/p型3C-SiCショットキー接合を形成し、その特性を調べた。電流-電圧特性を調べたところ、p型3C-SiCで初めて良好なショットキー特性が得られ、得られた最大の逆方向耐電圧は42Vであった。また、Au/p型3C-SiCショットキー接合の障壁高さを電流-電圧特性測定、キャパシタンス測定、XPS測定から見積もったところ、それぞれ1.120.12eV,1.110.16eV,1.400.15eVと見積もられた。これらの値はすでに見積もられているn型3C-SiCのAuショットキー障壁高さから予測される値と一致しており、このことからp型3C-SiCについてAuショットキー障壁高さを実験的に初めて求めることができた。